Ученые разработали новое запоминающее устройство с низким энергопотреблением, которое позволит создать более быстрые и эффективные компоненты оперативной памяти (RAM), а также сможет работать с троичной системой счисления.
Практически все современные цифровые устройства, обрабатывающие информацию, нуждаются в динамической оперативной памяти для временного хранения данных и промежуточных результатов выполняемых операций. Скорость DRAM важна, поскольку влияет на быстродействие всей системы. Эти чипы состоят из отдельных ячеек памяти, характеристики которых и определяют производительность интегральной микросхемы.
Хотя существующее оборудование достаточно хорошо справляется со своими задачами, но команда исследователей из Токийского технологического института решила создать более эффективное устройство памяти, которое потребляет меньше энергии и может работать быстрее нынешних аналогов.
Они разработали новый тип ячеек, состоящих из слоев лития, фосфата лития и никеля. По сути это крошечные тонкопленочные аккумуляторы малой емкости, которые можно быстро переключать между заряженным и разряженным состояниями.
Испытания показали, что в процессе эксплуатации между слоями никеля и фосфата лития образуется тонкий оксидный слой, который обеспечивает переключение устройства при низких уровнях энергии тока, что значительно повышает его энергоэффективность и скорость.
Более того, данный тип ячеек может хранить три состояния напряжения вместо двух, что позволяет также эффективно работать с троичной системой счисления.
Разработка японских исследователей открывает путь к более быстрым, компактным и энергоэффективным вычислительным устройствам будущего.
Ранее мы также сообщали о разработке технологии построения полупроводниковых интегральных микросхем, работающих в тройной логической системе.
текст: Илья Бауэр, фото: Tokyo Institute of Technology, appcube