BTC/USD 10966.92 0.04%
ETH/USD 374.69 -1.83%
LTC/USD 47.12 -2.30%
BRENT/USD 43.22 0.16%
GOLD/USD 1952.69 2.73%
RUB/USD 75.03 -0.22%
Tokyo
Moscow
New-York

Исследователи нашли способ выращивания сетей наностержней на кремниевых поверхностях

0

наностержни

Исследователи разработали технологию многократного выращивания наностержней строго контролируемым и полностью воспроизводимым образом.

Крошечные игольчатые кристаллические структуры диаметром от 5 до 100 нм способны влиять на проходящее через них электричество или свет. Наностержни могут излучать, концентрировать и поглощать свет, поэтому с их помощью можно интегрировать оптические функций в электронные чипы. Например, создать на них лазеры или разместить однофотонные излучатели для кодирования.

До сих пор невозможно было сформировать однородные системы нанопроволок в определенном положении. Однако исследователи из Лаборатории полупроводниковых материалов Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) разработали технологию выращивания сетей наностержней из жидкого галлия строго контролируемым и полностью воспроизводимым образом.

Они сосредоточились на управлении самим процессом формирования структуры, поскольку прежде основной проблемой производства нановолокон являлась невозможность получения однородных элементов и контроля их направления и положения. Теперь ученые показали, что, изменяя отношение диаметра к высоте отверстия, можно полностью контролировать рост наностержней. При правильном соотношении, галлий затвердевает в кольце вокруг края отверстия, формируя строго перпендикулярные волокна. Методика подходит для создания всех типов нанопроволок.

выращивание наностержней

На рисунке изображены кристаллы GaAs внутри отверстия оксида кремния, образующие полное кольцо или сегмент, в зависимости от размера капли галлия.

Другая команда из EPFL с помощью линз смогла практически вдвое повысить эффективность солнечных батарей.

текст: Илья Бауэр, фото: L'Ecole polytechnique fédérale de Lausanne