BTC/USD 10680.14 -0.40%
ETH/USD 353.59 0.59%
LTC/USD 45.66 -0.27%
BRENT/USD 42.41 0.00%
GOLD/USD 1861.15 -6.45%
RUB/USD 76.82 -0.46%
Tokyo
Moscow
New-York

Изобретены ультратонкие транзисторы для более мощных компьютерных чипов

0

Процессор

Исследователи разработали транзисторы, толщиной всего несколько нанометров, с превосходными электрическими свойствами. Это позволит увеличить плотность их размещения на микросхемах, что приведет к повышению мощности компьютерных чипов.

Раньше примерно каждые два года количество транзисторов на коммерческих чипах удваивалось, но в последние несколько лет закон Мура перестал работать из-за проблем дальнейшей миниатюризации элементов. Хотя развитие технологий двумерных материалов делает возможным решение данной проблемы.

Прежние попытки использования 2D полупроводников для создания ультратонких транзисторов не увенчались успехом, поскольку их сочетали с толстым слоем изолятора, что препятствовало миниатюризации и нарушало электрические свойства.

Однако команда ученых из Венского технологического университета сообщила об изготовлении первого прототипа транзистора, состоящего из полупроводника толщиной в несколько атомов, и изолятора из ионного кристалла фторида кальция. При этом правильная форма слоя CaF₂ не нарушает электрического поля.

Схема

Схемы нового транзистора: изолятор красного и синего цветов, а полупроводник сверху

Изучив технические характеристики нового транзистора, команда была удивлена его показателями, превосходящими все предыдущие модели. Поэтому теперь займется поиском наилучшей комбинации полупроводника и изолятора.

Несмотря на успех, исследователи говорят, что потребуется еще несколько лет, прежде чем технологию начнут применять для производства коммерческих чипов. Это связано с процессом изготовления двумерных материалов, которые требует улучшения. Однако решение отдельных технических вопросов позволит вернуть актуальность закона Мура.

Напомним, что ранее международная команда исследователей представила новую технологию производства высококачественных транзисторов из двумерных материалов, которая позволяет значительно снизить расходы на их производство.

текст: Илья Бауэр, фото: Vienna University of Technology, 2Gadget