BTC/USD 10483.48 0.13%
ETH/USD 338.81 -0.86%
LTC/USD 44.91 2.74%
BRENT/USD 42.06 0.81%
GOLD/USD 1888.39 -11.17%
RUB/USD 76.27 0.31%
Tokyo
Moscow
New-York

Samsung разработала прототип 3-нм процессора

0

Процессор

Компания Samsung объявила о разработке транзисторной архитектуры нового поколения, которая позволяет сократить расстояние между микросхемами для создания более производительных и энергоэффективных процессоров.

Инженеры представили платформу мультимостового канального полевого транзистора (MBCFET). В отличие от предыдущих многослойных вариантов, вместо нанопроволок он содержит нанолисты. Это позволяет сократить ширину канала модуля и ограничить проблемы, связанные с электростатическими эффектами, объединив преимущества технологий FinFET и GAAFET.

На Samsung Foundry Forum компания сообщила о создании набора продуктов для 3-нм процессоров, но пока что они находятся в стадии альфа-версии v0,1. На презентации разработчики также отметили, что новая архитектура улучшает поведение устройства при включении-выключении и обеспечивает снижение рабочего напряжения до менее 0,75 В. При этом технология MBCFET полностью совместима с FinFET и для производства не требует использования дополнительных инструментов.

Хотя скачок с уровня 7-нм до 3-нм является хорошим показателем, но представители компании говорят, что в ближайшее время не стоит рассчитывать на поставку модулей на базе MBCFET, поскольку инженерам предстоит проделать еще много работы для их вывода на коммерческий уровень.

В ближайшие годы Samsung планирует запустить множество решений для процессоров 7 нм, 6 нм, 5 нм и 4 нм, прежде чем перейти к 3 нм линейке.

Ранее мы также сообщали о том, что ученые совершили прорыв в производстве наночипов, который позволит значительно снизить их себестоимость.

текст: Илья Бауэр, фото: techbang, видео: YouTube/Samsung Foundry